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图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:3107 |
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最小起订金额:￥1850 比利时布鲁塞尔 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:3107 |
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最小起订金额:￥1850 比利时布鲁塞尔 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:8400 |
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最小起订量:50 英国伦敦 当天发货，5-8个工作日送达. |
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| 规格书 |
 J111-13, MMBFJ111-13 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电流 - 漏（IDSS），VDS（VGS = 0） | 20mA @ 15V |
| 漏极至源极电压（VDSS） | - |
| 漏电流（ID） - 最大 | - |
| FET 型 | N-Channel |
| - 击穿电压（V（BR）的GSS） | 35V |
| - 截止电压（VGS的关闭）@ ID | 3V @ 1µA |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | - |
| 电阻 - RDS（ON） | 30 Ohm |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包装材料 | Bulk |
| 包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率 - 最大 | 625mW |
| 包装 | 3TO-92 |
| 配置 | Single |
| 最大门源电压 | -35 V |
| 最大漏极栅极电压 | 35 V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bulk |
| 供应商封装形式 | TO-92 |
| 最大门源电压 | -35 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-92 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Bulk |
| 最大功率耗散 | 625 |
| 最大漏极栅极电压 | 35 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电压 - 击穿（ V（BR ） GSS ） | 35V |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 漏极（Idss ） @ VDS （ VGS = 0 ） | 20mA @ 15V |
| 电阻 - RDS（ON） | 30 Ohm |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 电压 - 切断（VGS关）@ Id | 3V @ 1µA |
| 其他名称 | J111FS |
| FET型 | N-Channel |
| 功率 - 最大 | 625mW |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 产品种类 | JFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | - 35 V |
| 系列 | J111 |
| 单位重量 | 0.007090 oz |
| RDS（ON） | 30 Ohms |
| 功率耗散 | 625 mW |
| 安装风格 | Through Hole |
| 漏源电流在Vgs = 0 | 4 mA to 16 mA |
| 零件号别名 | J111_NL |
| 栅源截止电压 | - 10 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 晶体管类型 | :JFET |
| Breakdown Voltage Vbr | :35V |
| Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min | :20mA |
| Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max | :35V |
| 功耗 | :625mW |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-92 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Current Idss Min | :20mA |
| Current Ig | :50mA |
| Device Marking | :J111 |
| Drain Source Voltage Vds | :35V |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| 端接类型 | :Through Hole |
| Zero Gate Voltage Drain Current Idss | :20mA |
| Weight (kg) | 0.47 |
| Tariff No. | 85411000 |
| No. of Transistors | :1 |
| Pin Format | :m |
| Power Dissipation Ptot Max | :350mW |
| 案例 | TO92 |
| Transistor type | N-FET |
| 功率 | 350mW |
| Drain-source voltage | 35V |
| 极化 | unipolar |
| Drain current | 20mA |
| Multiplicity | 1 |
| Gross weight | 0.22 g |
| On-state resistance | 30Ω |
| Collective package [pcs] | 2000 |
| spg | 2000 |
| associated | 1399075-M MPX02P MPX05GFNB J112 |
J111也可以通过以下分类找到
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